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参数资料
型号： IXFT140N10P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
标准包装： 30
系列： PolarHV™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 140A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 11 毫欧 @ 70A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 155nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 4700pF @ 25V
功率 - 最大： 600W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
F ig . 1 3 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l R e s is t a n c e
1.00
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pu ls e W id th - m illis e c o n d s
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
IXFT14N100 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
IXFT14N80P MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
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IXFT15N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT14N100 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT14N80P 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT150N17T2 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT150N20T 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT15N100 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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