- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录457 > IXFT140N10P (IXYS)MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT140N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
250
225
200
175
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
70
60
Fig. 8. Transconductance
150
125
100
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
50
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
0
40
80
120
160
200
240
280
320
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 70A
I G = 10mA
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
20
40 60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175 o C
C iss
R DS(on) Limit
T C = 25 o C
25μs
1000
C oss
100
100μs
1ms
10ms
C rss
100
f = 1MHz
10
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 |
| IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 |
| IXFT150N20T | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| IXFT15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| IXFT15N100Q | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT14N100 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT150N17T2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| IXFT150N20T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT15N100 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。