- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录457 > IXFT15N100Q3 (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT15N100Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 64nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 690W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFT15N100Q3
IXFH15N100Q3
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-268 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate Input Resistance
7.5
12.5
3250
265
24
0.20
S
pF
pF
pF
Ω
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 Ω (External)
28
10
30
8
ns
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2,4 - Drain
Q g(on)
64
nC
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
TO-247
23
27
0.21
nC
nC
0.18 ° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
15
60
1.4
A
A
V
TO-247 Outline
t rr
I RM
Q RM
I F = 7.5A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
7.6
660
250
ns
A
nC
1
2
3
?P
e
Note
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
2.2 2.54
A 1
A 2
2.2 2.6
b 1.0 1.4
2 - Drain
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived
from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, and constitute a
"considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change limits, test
conditions, and dimensions without notice.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT15N100Q | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 |
| IXFT15N80Q | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 |
| IXFT16N80P | MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 |
| IXFT17N80Q | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) |
| IXFT18N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT15N80Q | 功能描述:MOSFET 15 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT16N120P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT16N80P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT16N90Q | 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。