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参数资料
| 型号： | IXFT18N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH18N90P IXFV18N90P
IXFT18N90P IXFV18N90PS
18
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
40
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
16
14
12
10
V GS = 10V
9V
8V
7V
36
32
28
24
V GS = 10V
9V
8V
20
8
16
7V
6
12
4
6V
8
6V
2
0
5V
4
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Junction Temperature
16
V GS = 10V
9V
8V
2.6
V GS = 10V
14
12
10
8
7V
6V
2.2
1.8
1.4
I D = 18A
I D = 9A
6
1.0
4
2
0
5V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 9A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
20
18
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 125oC
T J = 25oC
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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| IXFT20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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