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参数资料
| 型号： | IXFT18N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH18N90P IXFV18N90P
IXFT18N90P IXFV18N90PS
TO-247 Outline
PLUS220 Outline
E
E1
L2
A
A1
E1
D1
D
1
2
3
? P
L3
L1
L
2X e
3X b
c
A2
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Terminals: 1-Gate 2-Drain
3-Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A 4.7 5.3
.185 .209
A
A 1
A 2
2.2 2.54
2.2 2.6
.087 .102
.059 .098
A1
A2
b 1.0 1.4
.040 .055
b
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
c
D
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
TO-268 Outline
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
PLUS220SMD Outline
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2,4 - Drain
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_18N90P(76)9-11-09-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT20N60Q | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 |
| IXFT20N80P | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
| IXFT20N80Q | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 |
| IXFT21N50Q | MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 |
| IXFT23N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N60Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT21N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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