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参数资料
型号： IXFT20N80Q
厂商： IXYS
文件页数： 2/2页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 420 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5100pF @ 25V
功率 - 最大： 360W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXFH20N80Q IXFK20N80Q
IXFT20N80Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
11
19
5100
S
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
C oss
C rss
t d(on)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
500
170
28
pF
pF
ns
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1.5 ? (External),
27
74
ns
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
14
150 200
ns
nC
A
A 1
A 2
b
4.7
2.2
2.2
1.0
5.3
2.54
2.6
1.4
.185
.087
.059
.040
.209
.102
.098
.055
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
34
80
0.35
nC
nC
K/W
b 1
b 2
C
D
E
e
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
R thCK
TO-247
TO-264
0.25
0.15
K/W
K/W
L1
? P
Q
3.55
5.89
4.50
3.65
6.40
.140
0.232
.177
.144
0.252
R
S
4.32
6.15
5.49
BSC
.170
242
.216
BSC
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-264 AA Outline
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
20
80
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1
9
250
ns
μ C
A
Dim.
A
A1
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
Inches
Min.
Max.
.190 .202
.100 .114
TO-268 Outline
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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PDF描述
IXFT21N50Q MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
IXFT23N60Q MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
IXFT23N80Q MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
IXFT24N80P MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
IXFT26N60P MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT21N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT21N50Q 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT23N60Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT23N80Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT24N50 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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