- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录458 > IXFT23N80Q (IXYS)MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT23N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 散装 |
IXFH23N80Q
IXFT23N80Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-247 AD (IXFH) Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
18
26
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4900
500
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
C rss
t d(on)
130
28
pF
ns
Tab - Drain
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1.5 ? (External),
27
74
ns
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
14
130
ns
nC
A
A 1
A 2
b
4.7
2.2
2.2
1.0
5.3
2.54
2.6
1.4
.185
.087
.059
.040
.209
.102
.098
.055
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
26
55
0.25
nC
nC
K/W
b 1
b 2
C
D
E
e
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
R thCK
TO-247
0.25
K/W
L1
? P
Q
3.55
5.89
4.50
3.65
6.40
.140
0.232
.177
.144
0.252
R
S
4.32
6.15
5.49
BSC
.170
242
.216
BSC
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-268 (IXFT) Outline
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
23
92
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1
9
250
ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT24N80P | MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 |
| IXFT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXFT26N60Q | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 |
| IXFT30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 |
| IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100F 320A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT24N50 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。