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参数资料
| 型号： | IXFT30N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
TO-247 AD (IXFH) Outline
min. typ. max.
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
18
5200
28
5700
S
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2 W (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
640
240
35
42
110
26
227
29
750
310
45
50
140
35
300
40
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
Q gd
110
145
nC
Dim. Millimeter
Inches
R thJC
R thCK
(TO-247 Case Style)
0.25
0.35
K/W
K/W
A
B
Min. Max.
19.81 20.32
20.80 21.46
Min. Max.
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
E
F
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
G
H
1.65 2.13
- 4.5
0.065 0.084
- 0.177
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
J
1.0 1.4
0.040 0.055
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
30N50
32N50
30N50
30
32
120
A
A
A
K
L
M
N
10.8 11.0
4.7 5.3
0.4 0.8
1.5 2.49
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
pulse width limited by T JM
32N50
128
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 25 ° C
0.85
250
400
ns
ns
m C
I RM
8
A
TO-268AA (D 3 PAK)
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 2
C
D
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Millimeter
Min. Max.
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
.4 .65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
Inches
Min. Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
Min. Recommended Footprint
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MLW3012-28-RC-1A | SWITCH ROCKER SPDT 5A 125V |
| M2025B2B1W03 | SW TOGGLE DPDT BAT THR SLV PC |
| NX1255GB-12.288000MHZ | CRYSTAL 12.288000 MHZ 12PF SMD |
| NTMD6N02R2G | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| KR312AKXXA12XX | SWITCH ROCKER SPST 10A 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT30N50P | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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