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参数资料
| 型号： | IXFT30N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
Figure 7. Gate Charge
14
Figure 8. Capacitance Curves
4500
12
10
Vds=300V
I D =30A
I G =10mA
4000
3500
3000
Ciss
F = 1MHz
8
2500
6
4
2
0
2000
1500
1000
500
0
Coss
Crss
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
100
30
V DS - Volts
80
V GS = 0V
10
1 ms
10 ms
60
100 ms
T C = 25 C
40
T J =125 O C
1
O
DC
20
T J =25 O C
0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
100
500
V SD - Volts
Figure 10. Transient Thermal Resistance
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
V DS - Volts
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MLW3012-28-RC-1A | SWITCH ROCKER SPDT 5A 125V |
| M2025B2B1W03 | SW TOGGLE DPDT BAT THR SLV PC |
| NX1255GB-12.288000MHZ | CRYSTAL 12.288000 MHZ 12PF SMD |
| NTMD6N02R2G | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| KR312AKXXA12XX | SWITCH ROCKER SPST 10A 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT30N50P | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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