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参数资料
| 型号： | IXFT32N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4925pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
80
70
60
T J = 25 O C
V GS =10V
9V
8V
7V
50
40
T J = 125 O C
V GS = 9V
8V
7V
6V
50
40
30
6V
30
20
5V
20
10
5V
10
4V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V DS - Volts
Figure 3. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. I D
2.8
V GS = 10V
2.8
V DS - Volts
Figure 4. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. T J
V GS = 10V
2.4
2.0
1.6
Tj=125 0 C
2.4
2.0
1.6
I D = 32A
I D = 16A
Tj=25 0 C
1.2
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
0.8
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
40
IXF_32N50Q
32
50
40
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
24
16
IXF_30N50Q
30
20
8
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
3
4
5
6
T C - Degrees C
? 2004 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT32N50 | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 |
| IXFT340N075T2 | MOSFET N-CH 75V 340A TO268 |
| IXFT400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 |
| IXFT40N30Q | MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 |
| IXFT40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT340N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT36N60P | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT400N075T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT40N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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