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参数资料
| 型号： | IXFT40N30Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH40N30Q
IXFT40N30Q
70
Fig. 7. Input Admittance
50
Fig. 8. Transconductance
60
45
40
T J = - 40oC
50
40
35
30
25
25oC
125oC
30
20
T J = 125oC
25oC
- 40oC
20
15
10
10
5
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
120
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
V DS = 150V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
100
8
I D = 20A
I G = 10mA
80
6
60
4
40
T J = 125oC
20
0
T J = 25oC
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1,000
Coss
10
1ms
Crss
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
Single Pulse
100
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 |
| IXFT42N50P2 | MOSFET N-CH 500V 42A TO268 |
| IXFT4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
| IXFT50N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXFT50N60P3 | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V 0.14W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT42N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT44N50P | 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT44N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT4N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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