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参数资料
| 型号： | IXFT4N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 4N100Q
IXFT 4N100Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 20 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
1.5
2.5
1050
120
30
17
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 4.7 W (External),
15
32
18
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
39
9
nC
nC
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 19.81 20.32
Inches
Min. Max.
0.780 0.800
Q gd
R thJC
22
0.8
nC
K/W
B
C
D
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
R thCK
(TO-247)
0.25
K/W
E
F
4.32 5.49
5.4 6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65 2.13
- 4.5
0.065 0.084
- 0.177
Source-Drain Diode
Characteristic Values
J
1.0 1.4
0.040 0.055
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
K
L
M
10.8 11.0
4.7 5.3
0.4 0.8
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
I S
V GS = 0 V
4
A
N
1.5 2.49
0.087 0.102
I SM
V SD
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
16
1.5
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
0.52
1.8
250
ns
m C
A
TO-268AA (D 3 PAK)
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 2
C
D
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Millimeter
Min. Max.
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
.4 .65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
Inches
Min. Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
Min. Recommended Footprint
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT50N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXFT50N60P3 | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| IXFT52N30Q | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 |
| IXFT52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
| IXFT58N20Q | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT50N20 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N50P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT52N30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268 |
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