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参数资料
| 型号： | IXFT4N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 4N100Q
IXFT 4N100Q
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
Figure 2. Extended Output Characteristics at 125 O C
4
3
TJ = 25 ° C
VGS = 10V
9V
8V
6
5
T J = 25°C
VGS = 10V
9V
8V
7V
7V
4
2
1
6V
3
2
6V
5V
1
5V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
V DS - Volts
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. I D
4
V CE - Volts
Figure 4. Admittance Curves
4
T J = 125 ° C
VGS = 10V
9V
3
8V
7V
3
O
TJ = 125 C
TJ = 25 C
2
1
6V
2
1
O
5V
0
0
0
5
10
15
20
3
4
5
6
7
8
V DS - Volts
Figure 5. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. I D
2.4
V GS - Volts
Figure 6. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value vs. T J
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
VGS = 10V
TJ = 125 ° C
TJ = 25 ° C
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
VGS = 10V
ID = 2A
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT50N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| IXFT50N60P3 | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| IXFT52N30Q | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 |
| IXFT52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT50N20 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N50P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT52N30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268 |
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