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参数资料
型号： IXFT70N20Q3
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
特色产品： Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 70A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 40 毫欧 @ 35A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 6.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 3150pF @ 25V
功率 - 最大： 690W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXFT70N20Q3
IXFH70N20Q3
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_70N20Q3(Q6)05-18-11
相关PDF资料
PDF描述
IXFT80N085 MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
IXFT80N10Q MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
IXFT80N15Q MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
IXFT80N20Q MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
IXFT88N30P MOSFET N-CH 300V 88A TO268
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT70N30Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT74N20 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT75N10Q 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
IXFT7N90Q 功能描述:MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT80N08 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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