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参数资料
| 型号： | IXFT94N30T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | * |
IXFT94N30T
IXFH94N30T
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_94N30T(8G)9-19-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXFV110N10PS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S |
| IXFV12N120PS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD |
| IXFV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| IXFV22N50PS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFTN100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFV10N100P | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
| IXFV10N100PS | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
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