- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录458 > IXFV74N20PS (IXYS)MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFV74N20PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 散装 |
IXFH74N20P IXFV74N20P
IXFV74N20PS
100
90
80
Fig. 7. Input Admittance
60
50
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
70
60
50
40
40
30
25oC
150oC
30
20
10
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
20
10
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
20
40
60
80
100
120
V G
S
- Volts
I
D
- Amperes
200
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
9
8
7
6
5
4
V DS = 100V
I D = 37A
I G = 10m A
60
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110
V S
D
- Volts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f
= 1MHz
T J = 175oC
C iss
100
R DS(on)
T C = 25oC
25μs
1000
100
C oss
C rss
10
1
DC
100μs
1ms
10m s
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_74N20P(6S)6-15-05-D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFV96N15PS | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S |
| IXFX120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 |
| IXFX120N30T | MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247 |
| IXFX140N25T | MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247 |
| IXFX170N20T | MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV96N15PS | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX100N25 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N20 | 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。