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参数资料
| 型号： | IXFX120N30T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 265nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
GigaMOS TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFK120N30T
IXFX120N30T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
300V
120A
24m ?
200ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-264 (IXFK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M ?
300
300
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
120
330
30
2.5
20
960
V
V
A
A
A
J
V/ns
W
PLUS247 (IXFX)
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
TO-264
PLUS247
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
International Standard Packages
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
300
2.5
5.0
± 200
V
V
nA
Applications
DC-DC Converters
Battery Chargers
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 60A, Note 1
T J = 125 ° C
50 μ A
3 mA
24 m ?
Switched-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100132(03/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX12N90Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX140N25T | 功能描述:MOSFET 140A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX140N30P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX14N100 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX150N15 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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