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参数资料
| 型号： | IXFX200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
I D25
Polar TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
IXFK 200N10P
IXFX 200N10P
V DSS = 100 V
= 200 A
R DS(on) ≤ 7.5 m Ω
t rr ≤ 150 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXFK)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
100
100
V
V
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
200
V
V
A
G
D
S
D (TAB)
I D(RMS)
External lead current limit
75
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
400
60
100
A
A
mJ
PLUS247 (IXFX)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
4
10
J
V/ns
D
S
TAB
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque TO-264
Mounting force PLUS247
TO-264
20
830
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
260
0.9/6
120/45 26
10
W
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in
Nm/lb.in
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
PLUS247
6
g
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
100
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
3.0
5.0
V
Advantages
I GSS
I DSS
V GS = ± 20 V, V GS = 0 V
V DS = V DSS
T J = 150 ° C
T J = 175 ° C
± 100
25
500
2.5
nA
μ A
μ A
mA
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
V GS = 15 V, I D = 400A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
5.5
7.5
m Ω
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99590E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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