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参数资料
| 型号： | IXFX200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 200N10P
IXFX 200N10P
300
250
Fig. 7. Input Adm ittance
140
120
Fig. 8. Transconductance
200
100
T J = -40 o C
150
80
60
25 o C
150 o C
100
T J = -40 o C
25 o C
40
50
0
150 o C
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
50
100
150
200
250
300
350
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
300
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 100A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
100,000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
10,000
f = 1MHz
C iss
R DS(on) Limit
T J = 175 o C
T C = 25 o C
100μs
C oss
100
1ms
1,000
100
C rss
10
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX210N17T | MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX20N120 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX20N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX210N17T | 功能描述:MOSFET 210A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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