- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录458 > IXFX200N10P (IXYS)MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFX200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 200N10P
IXFX 200N10P
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
175
150
125
100
9V
8V
300
250
200
9V
8V
150
75
50
7V
100
7V
25
0
6V
50
0
6V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
200
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.4
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
175
150
125
V GS = 10V
9V
8V
2.2
2
1.8
V GS = 10V
I D = 200A
1.6
100
75
50
25
0
7V
6V
5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 100A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.4
2.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
80
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 15V
T J = 175 o C
V GS = 10V
T J = 25 o C
60
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX210N17T | MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247 |
| IXFX24N100 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 |
| IXFX250N10P | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 |
| IXFX260N17T | MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247 |
| IXFX26N120P | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX20N120 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX20N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX210N17T | 功能描述:MOSFET 210A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。