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参数资料
型号： IXFX140N25T
厂商： IXYS
文件页数： 4/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
标准包装： 30
系列： GigaMOS™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 140A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 17 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 255nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 19000pF @ 25V
功率 - 最大： 960W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： PLUS247?-3
包装： 管件
IXFK140N25T
IXFX140N25T
180
Fig. 7. Input Admittance
220
Fig. 8. Transconductance
160
200
T J = - 40oC
140
120
100
80
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
180
160
140
120
100
80
25oC
125oC
60
40
40
20
0
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 125V
300
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 70A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS( on ) Limit
10,000
100
25μs
1,000
100
Coss
Crss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
100μs
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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PDF描述
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参数描述
IXFX140N30P 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX14N100 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX150N15 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX150N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX15N100 功能描述:MOSFET 1KV 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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