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参数资料
型号： IXFX250N10P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
标准包装： 30
系列： *
IXFK250N10P
IXFX250N10P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: IXF_250N10P (93)8-04-08
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PDF描述
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参数描述
IXFX25N90 功能描述:MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX260N17T 功能描述:MOSFET 260A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX26N100P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX26N120P 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX26N60Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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