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参数资料
| 型号： | IXFX80N50Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFETs
Q3-Class
IXFK80N50Q3
IXFX80N50Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
500V
80A
65m Ω
250ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
Maximum Ratings
500
500
± 30
± 40
80
240
80
V
V
V
V
A
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
Tab
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
5
50
J
V/ns
G
D
S
Tab
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
300
260
1.13/10
° C
° C
Nm/lb.in.
Low Intrinsic Gate Resistance
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
F C
Weight
Mounting Force
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
20..120 /4.5..27
10
6
N/lb.
g
g
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
500
V
DC-DC Converters
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.5
6.5 V
± 200 nA
50 μ A
2 mA
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
65 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100299(02/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPC2712TB-E3-A | MMIC AMP 2.6GHZ SOT363 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX80N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX88N20Q | 功能描述:MOSFET 88 Amps 200V 0.022W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX90N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX90N20QS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-247SMD |
| IXFX90N30 | 功能描述:MOSFET 300V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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