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参数资料
| 型号： | IXFX80N50Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK80N50Q3
IXFX80N50Q3
80
70
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
180
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
60
9V
140
120
50
40
100
80
9V
30
8V
60
20
40
8V
10
0
7V
20
0
7V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
30
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value vs.
Junction Temperature
70
60
50
40
30
20
10
9V
8V
7V
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
V GS = 10V
I D = 80A
I D = 40A
6V
0
0.2
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value vs.
Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
V GS = 10V
T J = 125oC
80
2.6
70
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
60
50
40
30
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX80N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX88N20Q | 功能描述:MOSFET 88 Amps 200V 0.022W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX90N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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