参数资料
型号: IXFX80N50Q3
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
特色产品: Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 10000pF @ 25V
功率 - 最大: 1250W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PLUS247?-3
包装: 管件
IXFK80N50Q3
IXFX80N50Q3
120
100
Fig. 7. Input Admittance
100
80
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
80
T J = 125oC
25oC
25oC
- 40oC
60
125oC
60
40
40
20
0
20
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
0
20
40
60
80
100
120
240
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
V DS = 250V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
200
14
12
I D = 40A
I G = 10mA
160
10
120
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
40
80
120
160
200
240
280
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10,000
1,000
Ciss
100
10
100μs
Coss
100
10
Crss
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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PDF描述
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参数描述
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