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参数资料
| 型号： | IXGN400N60B3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 430A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 100µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 31nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN400N60B3
350
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GE = 15V
350
Fig. 2. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GE = 15V
300
10V
9V
300
10V
9V
250
8V
250
8V
200
150
100
50
0
7V
6V
5V
200
150
100
50
0
7V
6V
5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.3
V CE - Volts
Fig. 3. Dependence of V CE(sat) on
Junction Temperature
3.5
V CE - Volts
Fig. 4. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
1.2
V GE = 15V
I
C
= 300A
3.0
T J = 25oC
1.1
1.0
2.5
I
C
= 300A
200A
I
C
= 200A
2.0
100A
0.9
0.8
I
C
= 100A
1.5
0.7
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Input Admittance
280
V GE - Volts
Fig. 6. Transconductance
180
160
140
120
T J = 125oC
25oC
- 40oC
240
200
160
T J = - 40oC
25oC
125oC
100
80
60
120
80
40
40
20
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
I C - Amperes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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