- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXGN400N60B3 (IXYS)IGBT 600V 430A SOT-227 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXGN400N60B3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 430A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 100µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 31nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN400N60B3
Fig. 12. Inductive Switching
Energy Loss vs. Gate Resistance
Fig. 13. Inductive Switching
Energy Loss vs. Collector Current
8
8
5
5
7
6
E off E on - ---
T J = 125oC , V GE = 15V
V CE = 480V
I
C
= 100A
7
6
4
E off E on ----
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 125oC
4
5
4
3
5
4
3
3
2
3
2
T J = 25oC
2
I C = 50A
2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
R G - Ohms
Fig. 14. Inductive Switching
Energy Loss vs. Junction Temperature
I C - Amperes
Fig. 15. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
6
6
350
1400
E off
E on
----
t fi
t d(off) - - - -
5
R G = 1 ? , V GE = 15V
5
300
T J = 125oC, V GE = 15V
1200
4
V CE = 480V
I C = 100A
4
250
V CE = 480V
1000
I C = 100A
3
3
200
800
2
1
I C = 50A
2
1
150
100
I
C
= 50A
600
400
0
0
50
200
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Collector Current
R G - Ohms
Fig. 17. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
300
420
200
350
t fi
t d(off) - - - -
180
t fi
t d(off) - - - -
335
250
200
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
380
340
160
140
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 480V
320
305
T J = 125oC
120
290
150
300
100
I C = 100A
275
80
260
100
260
60
245
50
220
40
I
C
= 50A
230
T J = 25oC
20
215
0
180
0
200
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
I C - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| IXGN60N60 | IGBT 600V 100A SOT-227B |
| IXGN72N60A3 | IGBT 160A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。