型号: | IXGP48N60A3 |
厂商: | IXYS CORP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 222K |
代理商: | IXGP48N60A3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IXGQ28N120B | |
IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
IXSE502PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20 |
J1MAWDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
J1MSCDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.007A (COIL), 26.5VDC (COIL), 176mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IXGP48N60B3 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT |
IXGP48N60C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IXGP4N100 | 功能描述:IGBT 晶体管 8 Amps 1000V 2.70 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IXGP50N33TBM-A | 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 330V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IXGP50N60B4 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs |