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参数资料
| 型号： | IXGP48N60A3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | IXGP48N60A3 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
IXGA48N60A3 IXGH48N60A3
IXGP48N60A3
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
0.01
0.10
1.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
Z
(t
h
)J
C
-
C
/W
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20304050
607080
90
100
IC - Amperes
g
f
s-
Si
e
m
e
n
s
TJ = - 40C
25C
125C
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
VCE - Volts
I C
-
A
m
per
e
s
TJ = 125C
RG = 5
dV / dt < 10V / ns
Fig. 8. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
QG - NanoCoulombs
V
GE
-
V
o
lts
VCE = 300V
I C = 32A
I G = 10mA
Fig. 9. Capacitance
10
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VCE - Volts
Capa
ci
tanc
e
-
P
ic
o
F
a
rads
f = 1 MHz
Cies
Coes
Cres
IXYS REF: G_48N60A3(56) 07-10-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGQ28N120B | |
| IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
| IXSE502PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20 |
| J1MAWDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
| J1MSCDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.007A (COIL), 26.5VDC (COIL), 176mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGP48N60B3 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT |
| IXGP48N60C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP4N100 | 功能描述:IGBT 晶体管 8 Amps 1000V 2.70 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP50N33TBM-A | 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 330V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP50N60B4 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs |
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