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参数资料
| 型号： | IXI848S1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 描述： | IC CURRENT MONITOR 0.7% 8SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 功能： | 电流监控器 |
| 检测方法： | 高端 |
| 精确度： | ±0.7% |
| 输入电压： | 2.7 V ~ 40 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IXYS
www.ixys.com
5
06/29/05
IXI848
Package Outline
8-LEAD SOIC
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including, but not limited to, the implied warranty of merchantability, fitness for a particular purpose, or infringement of any intellectual
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXI848S1T/R | 功能描述:电流和电力监控器、调节器 2500 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Current Regulators 电源电压-最大:48 V 电源电压-最小:5.5 V 工作温度范围:- 40 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HPSO-8 封装:Reel |
| IXI858S1 | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXI858S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXI859S1 | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXI859S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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