参数资料
| 型号： | IXI859S1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG/GATE DRIVER 3.3V 8-SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 应用： | 转换器，基于微型控制器的离线应用 |
| 输入电压： | 8.2 V ~ 17 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 3.3V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVLB002-ND - KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST |
IXYS
SOIC-8 Pin Description
IXI858 / IXI859
Pin No.
Pin Symbol
I/O
Description
Power input connects to a rectified high voltage source through a
1
VCC
Supply
current limiting series resistor and filter capacitor to ground.
Regulated 13 volt output when the charge pump is active.
2
3
4
5
6
7
8
VOUT
N/C
IN
GATE
GND
VSUP
VCAP
Output
Input
Output
Ground
I/O
I/O
Linear Regulator Output (IXI858 = 5.0V, IXI859 = 3.3V)
No Connect
Gate Driver Input
Gate Driver Output. Drives external power MOSFET.
Ground Return
Charge Pump Switch Input. Enables / disables the charge pump
output. Requires a low ESR capacitor.
Charge Pump Switch Output. Rectified charge pump output.
Requires a low ESR capacitor.
Absolute Maximum Ratings
C
C
Symbol
V CC
V OUT
V IN
I SUP
I PEAK
P D
T J
T STG
Parameter
DC Supply Voltage
Logic System Supply Voltage
Gate Input Voltage
Continuous current into V SUP pin
Peak Current into V SUP
Power Dissipation
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature
Min
-0.4
-0.4
-0.4
-200
-1
-65
Max
+20.0
+6.0
+6.0
+200
+1
500
+150
+150
Units
V
V
V
mA
A
mW
o
o
Absolute Maximum Ratings are stress ratings. Stresses in excess of these
ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the
device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational
sections of this data sheet is not implied. Exposure of the device to the absolute
maximum ratings for an extended period may degrade the device and affect its
reliability.
ESD Warning
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Although the IXI858 / IXI859 feature proprietary ESD protection circuitry, permanent
damage may be sustained if subjected to high energy electrostatic discharges. Proper ESD precautions are recommended to avoid
performance degradation or loss of functionality.
www.ixys.com
2
4/29/05
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXJ611P1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXJ611S1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXJ611S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXK611P1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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