参数资料
型号: IXI859S1
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: IC REG/GATE DRIVER 3.3V 8-SOIC
标准包装: 100
应用: 转换器,基于微型控制器的离线应用
输入电压: 8.2 V ~ 17 V
输出数: 1
输出电压: 3.3V
工作温度: -25°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
配用: EVLB002-ND - KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST
EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST
IXYS
Electrical Characteristics
T A =25°C, V CC =13V unless otherwise specified
IXI858 / IXI859
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
Gate Output (GATE)
V OL
V OH
I SINK
I SRC
V OL2
t MINPW
t PD
Output Low Voltage
Output High Voltage
Output Sink Current
Output Source
Current
Output Low Voltage
in UVLO state
Minimum Output
Pulse Width
IN to GATE
propagation delay
I GATE = 10mA
I GATE = -10mA
V GATE = 6V
V GATE = 3V
V CC = 6V, I GATE = 1mA
C GATE = 10pF
C GATE = 10pF
11
120
60
80
0.8
200
0.5
V
V
mA
mA
V
nS
nS
Under Voltage Lockout (VCC)
UVLO H
UVLO L
V HYS
UVLO Top
Threshold Voltage
UVLO Bottom
Threshold Voltage
UVLO Hysteresis
VCC Rising
VCC Falling
14.1
8.2
5.9
V
V
V
Typical Application Circuit
HV DC IN
R1
L1
HV DC OUT
C1
C2
R2
1uF
VCC
1
2
Vreg
Vclamp
UVLO
+
VCAP
8
VSUP
7
10uF
DC Supply
220nF
VOUT
-
GND
μC
4
IN
75k
13V
ChrgPReg
6
GATE
5
IXI858 / IXI859
www.ixys.com
4
4/29/05
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PDF描述
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IXJ611P1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
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IXJ611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXK611P1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127