参数资料
| 型号： | IXI859S1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG/GATE DRIVER 3.3V 8-SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 应用： | 转换器，基于微型控制器的离线应用 |
| 输入电压： | 8.2 V ~ 17 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 3.3V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVLB002-ND - KIT EVAL NONDIM LIGHT BALLAST EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST |
IXYS
Operating Range
IXI858 / IXI859
Symbol
V CC
I SUP
I PEAK
Parameter
Supply Voltage
Continuous Current in V SUP Pin
Peak Current in V SUP Pin (t P <1μS, f<150kHz)
Min
UVLO
0
-750
Max
+17
150
+750
Units
V
mA
mA
Electrical Characteristics
T A =25°C, V CC =13V unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
Supply (VCC)
I CC
I CC2
I STBY
V CLAMP
Supply Current
Supply Current
Standby Current
Clamp Voltage
V IN <1V, no load any pin
1nF GATE load, 300kHz IN
signal
Undervoltage Detected
I CC <5mA
0.7
5
160
17
1.0
mA
mA
μA
V
Input (IN)
V TON
V TOFF
V H
I INL
I INH
Turn-on Threshold
Voltage
Turn-off Threshold
Voltage
Hysteresis
Input Current Low
Input Current High
0.5
1.95
1.15
20
100
V
V
V
μA
μA
Voltage Regulator (VOUT)
V OUT
Voltage Reference
IXI859 I OUT = 10mA
IXI858 I OUT = 10mA
3.20
4.85
3.30
5
3.40
5.15
V
V
Reg LOAD
I PEAK
dV OUT
Load Regulation
Peak Output Current
Temp Coefficient
I OUT change from 10mA to 25mA
V OUT = 1V, IXI859
V OUT = 1V, IXI858
I OUT = 10mA
75
100
50
250
mV
mA
ppm/°C
C OUT
I LEAK
T STARTUP
T SETTLE
Allowed Capacitive
Load
Leakage current in
UVLO state
Startup Time (V OUT >
3.1V)
Settling Time
I OUT = 10mA
V OUT = 1V
C OUT = 1uF
C OUT = 1 uF
0.2
2
2.2
10
0.1
μF
μA
mS
mS
Charge Pump Regulator
VCPR ON
VCPR OFF
VCPR HYS
VCPR FWD
www.ixys.com
Turn-on Level
Turn-off Level
Hysteresis
Forward Voltage
Measured at VCC
Measured at VCC
I FWD = 150mA (VSUP to VCAP)
3
13.15
12.85
0.30
1.5
V
V
V
V
4/29/05
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXJ611P1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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| IXJ611S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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