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参数资料
| 型号： | IXKC19N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1.1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
ISOPLUS220 TM Outline
Advanced Technical Information
IXKC 19N60C5
E
A
SYM
A
A2
b
b2
b4
c
D
D1
INCHES
MIN
.157
.098
.035
.049
.093
.028
.591
.472
MAX
.197
.118
.051
.065
.100
.039
.630
.512
MILLIMETERS
MIN MAX
5.00
4.00
3.00
2.50
0.90
1.30
1.25
1.65
2.55
2.35
1.00
0.70
16.00
15.00
13.00
12.00
* Note 1
E
E1
.394
.295
.433
.335
10.00
7.50
11.00
8.50
e
.100 BASIC
2.55 BASIC
L
.512
.571
13.00
14.50
2X b4
L1
T
.118
.138
3.00
42.5
3.50
47.5
NOTE:
1. Bottom heatsink is electrically isolated from Pin 1, 2, or 3.
2. This drawing will meet dimensional requirement of JEDEC SS
Product Outline TO-273 except D and D1 dimension.
1
2
3
2X e
3X b
c
A2
2X b2
140
120
50
120
105
T J = 25°C
V GS =
10 V
8V
T J = 125°C
V GS = 20 V
10 V 8 V
7V
100
90
20 V
40
6V
80
75
7V
30
5.5 V
60
5V
60
40
45
30
6V
5.5 V
20
4.5 V
10
5V
20
15
4.5 V
0
0
0
0
40
80
120
160
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
T C [°C]
V
DS
[V]
V DS [V]
Fig. 1 Power dissipation
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209b
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKC20N60C | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| IXKC23N60C5 | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 |
| IXKC25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 |
| IXKC40N60C | MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 |
| IXKF40N60SCD1 | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKC20N60C | 功能描述:MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC23N60C5 | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC40N60C | 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKF40N60SCD1 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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