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参数资料
| 型号： | IXKK85N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 650nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXKK 85N60C
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
I F = 85 A; V GS = 0 V
I F = 85 A; -di F /dt = 200 A/μs; V R = 350 V
580
46
140
85
250
1.2
A
A
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
M d
operating
mounting torque
-55...+150
-55...+150
0.8 ... 1.2
°C
°C
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
Weight
with heatsink compound
0.15
10
K/W
g
TO-264 Outline
SYM
INCHES
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
A1
b
b1
b2
.185
.102
.037
.087
.110
.209
.118
.055
.102
.126
4.70
2.59
0.94
2.21
2.79
5.31
3.00
1.40
2.59
3.20
C
D
E
e
.017 .029
1.007 1.047
.760 .799
.215 BSC
0.43 0.74
25.58 26.59
19.30 20.29
5.46 BSC
L
L1
L2
L3
P
Q
Q1
R
R1
S
.193
.088
.075
.000
.122
.240
.330
.155
.085
.243
.201
.096
.083
.004
.138
.256
.346
.187
.093
.253
4.90
2.24
1.90
0.00
3.10
6.10
8.38
3.94
2.16
6.17
5.10
2.44
2.10
0.10
3.51
6.50
8.79
4.75
2.36
6.43
NOTE: 1. This drawing meets all dimension
s
requirement of JEDEC outline
TO-264AAexcept L, L1, L2, L3.
2. All metal surface are solder plated
except trimmed area.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100315c
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKN40N60C | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B |
| IXKN45N80C | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
| IXKP10N60C5 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
| IXKP13N60C5M | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKN40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN40N60C | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN75N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN75N60C | 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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