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参数资料
| 型号： | IXKK85N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 650nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXKK 85N60C
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
100
90
80
t p = 300μs
V GS = 10V
6V
5V
360
320
280
t p = 300μs
V GS = 10V
7V
70
60
240
200
6V
50
40
4.5V
160
30
20
120
80
5V
10
0
4V
40
0
0
0.5
1
1.5 2
V D S - Volts
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8 10
V D S - Volts
12
14
16
18
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D100 Value
vs. Junction Tem perature
100
90
80
70
60
t p = 300μs
V GS = 10V
5V
4.5V
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
t p = 300μs
50
40
1.6
1.3
I D = 60A
I D = 30A
30
20
10
0
4V
1
0.7
0.4
0
1
2
3 4
V D S - Volts
5
6
7
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
I D100 Value vs. I D
100
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.7
3.4
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
t p = 300μs
T J = 125oC
T J = 25oC
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120 160 200 240
I D - Amperes
280
320
360
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100315c
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKN40N60C | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B |
| IXKN45N80C | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
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| IXKP13N60C5M | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKN40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN40N60C | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN75N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN75N60C | 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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