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参数资料
| 型号： | IXKP24N60C5M |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 790µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
IXKP 24N60C5M
1.2
0.5
100
T JV = 150°C
6.5 V
I D = 12 A
V GS = 10 V
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
1
0.8
5.5 V
6V
10 V
0.4
80
25 °C
V DS =
5V
7V
0.3
60
0.6
98%
0.4
0.2
0
0.2
0.1
0
typ
40
20
0
T J = 150 °C
0
10
20
30
40
50
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics of IGBT
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
2
10
10
5
I D = 12 A pulsed
25 °C, 98%
9
V GS = 0 V
f = 1 MHz
25 °C
150 °C, 98%
8
V DS = 120 20 V
10
4
10
1
T J = 150 °C
7
40 0V
Ciss
6
5
10
3
10
0
4
3
2
1
10
10
2
1
Coss
Crss
10
-1
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
0
100
200
300
400
500
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
600
I D = 7.9 A
700
I D = 0.75 mA
10
0
500
400
660
0.5
0.2
D = t p /T
300
620
10
-1
0.1
0.05
200
100
580
0.02
0.01
single pulse
0
540
10
-2
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [s]
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209d
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKR25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| IXKR40N60C | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| IXKR47N60C5 | MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 |
| IXTA10N60P | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK |
| IXTA110N055T2 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKP35N60C5 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKR25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKR40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package |
| IXKR40N60C | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKR47N60C5 | 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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