参数资料
型号: IXKR25N80C
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
标准包装: 30
系列: CoolMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 355nC @ 10V
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUS247?
供应商设备封装: ISOPLUS247?
包装: 管件
Component
Advanced Technical Information
IXKR 25N80C
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V ISOL
T VJ
T stg
T L
F C
I ISOL <   mA; 50/60 Hz
 .6 mm from case for  0 s
mounting force with clip
2500
-40...+ 50
-40...+ 25
300
20 ...  20
V~
°C
°C
°C
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
C P
R thCH
Weight
coupling capacity bewtween shorted
pin and mounting tab in the case
with heatsink compound
30
0.25
6
pF
K/W
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080526a
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PDF描述
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参数描述
IXKR40N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKR40N60C 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR47N60C5 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKT70N60C5 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKT70N60C5-TRL 制造商:IXYS Corporation 功能描述:70 Amps 600V