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参数资料
| 型号： | IXKR47N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6800pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
IXKR 47N60C5
ISOPLUS247 TM Outline
Die konvexe Form des Substrates ist typ. < 0.04 mm über der Kunststoff-f-
oberfl?che der Bauteilunterseite
The convex bow of substrate is typ. < 0.04 mm over plastic surface level of
device bottom side
Die Geh?useabmessungen entsprechen dem Typ TO-247 AD gem?? JEDEC
au?er Schraubloch und L max .
This drawing will meet all dimensions requiarement of JEDEC outline TO-247 AD
except screw hole and except L max .
350
250
T J = 25°C
V GS = 20 V
10 V 8 V
140
T J = 150°C
8V
7V
300
250
200
7V
120
100
V GS = 20 V
10 V
6V
5.5 V
150
200
6V
80
150
100
60
5V
5.5 V
100
50
50
5V
4.5 V
40
20
4.5 V
0
0
0
0
40
80
T C [°C]
120
160
0
5
V
10
DS [V]
15
20
0
5
V
10
DS [V]
15
20
Fig. 1 Typ. power dissipation
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523b
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA10N60P | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK |
| IXTA110N055T2 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
| IXTA110N055T7 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 |
| IXTA110N055T | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKT70N60C5 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKT70N60C5-TRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:70 Amps 600V |
| IXKU5-505MINIPACK2 | 功能描述:MOSFET MiniPack 2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKX50N60BU1 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode |
| IXL70F150 | 功能描述:保险丝 S/COND FUSE WITH IND RoHS:否 制造商:Littelfuse 产品:Surface Mount Fuses 电流额定值:0.5 A 电压额定值:600 V 保险丝类型:Fast Acting 保险丝大小/组:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安装风格: 端接类型:SMD/SMT 系列:485 |
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