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参数资料
| 型号： | IXTA120N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 120A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
TrenchT2 TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTA120N04T2
IXTP120N04T2
V DSS
I D25
R DS(on)
TO-263
= 40V
= 120A
≤ 6.1m Ω
Avalanche Rated
G
S
(TAB)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
40
40
± 20
V
V
V
TO-220
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
120
360
A
A
G
D
S
(TAB)
I A
T C = 25 ° C
50
A
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
400
200
-55 ... +175
mJ
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
175
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
International standard packages
Avalanche rated
Low package inductance
175°C Operating Temperature
High current handling capability
Low R DS(on)
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
40
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 25A , Notes 1, 2
± 100 nA
2 μ A
50 μ A
6.1 m Ω
? Synchronous Buck Converters
? High Current Switching Power
Supplies
? Battery Powered Electric Motors
? Resonant-mode power supplies
? Electronics Ballast Application
? Class D Audio Amplifiers
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99973A(11/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA120N075T2 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 |
| IXTA130N10T-TRL | MOSFET N-CH 100V 130A TO263 |
| IXTA130N10T7 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 |
| IXTA152N085T7 | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA120N075T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120P065T | 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120P065T T/R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTA12N50P | 功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA130N065T2 | 功能描述:MOSFET 130 Amps 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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