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参数资料
| 型号： | IXTA120N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 120A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA120N04T2
IXTP120N04T2
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
120
100
V GS = 15V
10V
9V
8V
350
300
250
V GS = 15V
10V
9V
80
7V
60
200
8V
6V
150
40
100
7V
20
0
5V
50
0
6V
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value
vs. Junction Temperature
120
100
80
V GS = 15V
10V
9V
8V
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 120A
7V
60
1.4
I D = 60A
6V
1.2
40
1.0
20
0
5V
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value
vs. Drain Current
V GS = 10V
130
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.0
15V - - - -
T J = 175oC
110
100
1.8
1.6
1.4
1.2
90
80
70
60
50
40
30
1.0
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA120N075T2 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA120N075T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120P065T | 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120P065T T/R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTA12N50P | 功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA130N065T2 | 功能描述:MOSFET 130 Amps 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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