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参数资料
| 型号： | IXTA160N10T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 132nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA160N10T7
90
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
80
70
60
50
40
30
20
I D = 25A
I D = 50A
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 50V
65
60
55
50
45
40
35
30
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
170
65
90
120
t r
t d(on) - - - -
85
t f
t d(off) - - - -
115
150
T J = 125oC, V GS = 10V
60
80
R G = 5 Ω , V GS = 10V
110
130
V DS = 50V
I D = 50A
55
75
70
I D = 25A
V DS = 50V
105
100
110
90
70
50
30
I D = 25A
50
45
40
35
30
65
60
55
50
45
40
35
30
I D = 50A
I D = 25A
I D = 50A
95
90
85
80
75
70
65
60
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
44
80
140
205
43
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 50V
77
74
71
130
120
110
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 25A
190
175
160
42
68
100
145
T J = 25oC
65
90
I D = 50A
130
41
62
59
80
115
40
T J = 125oC
56
53
70
60
100
85
39
38
T J = 25oC
50
47
44
50
40
30
70
55
40
25
30
35
40
45
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_160N10T (5V) 11-16-06-A.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA16N50P | 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA170N075T2 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N085T7 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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