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参数资料
| 型号： | IXTA2N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 655pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 86W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTA2N100P
IXTP2N100P
IXTY2N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 2.0A
≤ 7.5 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
1000
V
G
S
(TAB)
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
1000
V
V GSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
2.0
V
V
A
TO-220 (I XTP )
D S
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
5.0
2.0
150
10
86
A
A
mJ
V/ns
W
G
TO-252 (IXTY)
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
S
(TAB)
T L
T SOLD
1.6mm (0.062) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
TO-252
(TO-220)
1.13 / 10
2.50
3.00
0.35
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International standard packages
Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1000
V
High power density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 100 μ A
2.5
4.5
V
Applications:
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 50 nA
Switched-mode and resonant-mode
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
5 μ A
250 μ A
power supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
6.0
7.5
Ω
AC and DC motor controls
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99817B(04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA2N100 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| IXTA2N80 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 |
| IXTA300N04T2-7 | MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 |
| IXTA32N20T | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 |
| IXTA36N30P | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA2N80 | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2R4N120P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA300N04T2 | 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA300N04T2-7 | 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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