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参数资料
| 型号： | IXTA2N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 825pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
High Voltage
MOSFET
IXTA2N100
IXTP2N100
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 2A
≤ 7 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
1000
V
G
S
(TAB)
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
1000
± 20
± 30
2
V
V
V
A
TO-220 (IXTP)
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
8
2
150
A
A
mJ
G
G = Gate
D S
(TAB)
D = Drain
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
5
100
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
S = Source
Features
TAB = Drain
T L
T SOLD
1.6mm (0.062) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
300
260
° C
° C
International Standard Packages
Avalanche Rated
Low Package Inductance (< 5nH)
M d
Weight
Mounting Torque
TO-263
TO-220
(TO-220)
1.13 / 10
2.5
3.0
Nm/lb.in.
g
g
Fast Switching Times
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1000
V
Applications
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.5
V
Switched-Mode and Resonant-Mode
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
± 100 nA
25 μ A
100 μΑ
Power Supplies
FlyBack Inverters
DC Choppers
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
7
Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS97540B(04/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA2N80 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 |
| IXTA300N04T2-7 | MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 |
| IXTA32N20T | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 |
| IXTA36N30P | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 |
| IXTA3N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA2N100P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2N80 | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2R4N120P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA300N04T2 | 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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