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参数资料
| 型号： | IXTA2N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 825pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA2N100
IXTP2N100
3.5
Fig. 7. Input Admittance
6.0
Fig. 8. Transconductance
3.0
2.5
5.5
5.0
4.5
4.0
T J = - 40oC
25oC
2.0
T J = 125oC
25oC
3.5
1.5
1.0
0.5
0.0
- 40oC
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
125oC
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
7
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
6
9
8
V DS = 500V
I D = 1A
I G = 10mA
5
4
7
6
5
3
T J = 125oC
4
2
T J = 25oC
3
2
1
1
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
1,000
100
10
Crss
Ciss
Coss
1.00
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_2N100(3X-G68)4-16-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA2N80 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 |
| IXTA300N04T2-7 | MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 |
| IXTA32N20T | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 |
| IXTA36N30P | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 |
| IXTA3N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA2N100P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2N80 | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA2R4N120P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA300N04T2 | 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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