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参数资料
| 型号： | IXTA6N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 3A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA6N100D2 IXTP6N100D2
IXTH6N100D2
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
6
5
4
3
2
V GS = 5V
2V
1V
0V
-1V
14
12
10
8
6
V GS = 5V
2V
1V
0V
-1V
4
1
0
- 2V
- 3V
2
0
- 2V
- 3V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
10
20
30
40
50
60
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. Drain Current @ T J = 25oC
6
V GS = 5V
1.E-01
V GS =
5
0V
1.E-02
- 3.00V
- 3.25V
4
3
-1V
1.E-03
1.E-04
- 3.50V
- 3.75V
- 4.00V
2
1
- 2V
1.E-05
1.E-06
- 4.25V
- 4.50V
- 3V
0
1.E-07
0
5
10
15
20
25
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
1.E-01
1.E-02
V DS - Volts
Fig. 5. Drain Current @ T J = 100oC
V GS = - 3.25V
- 3.50V
1.E+09
1.E+08
V DS - Volts
Fig. 6. Dynamic Resistance vs. Gate Voltage
? V DS = 700V - 100V
1.E-03
- 3.75V
1.E+07
1.E-04
- 4.00V
- 4.25V
1.E+06
T J = 25oC
1.E-05
1.E-06
- 4.50V
1.E+05
1.E+04
T J = 100oC
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
-4.6
-4.4
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 14A-5.0R-20 | XFRMR PWR 115/230V 10V .50A |
| 14A-5.0R-16 | XFRMR PWR 115/230V 8.0V .62A |
| DST-6-56 | XFRMR PWR 115/230V 28V 700MA |
| WSXS-SPIBUS TD | SPIBUS TRIGGER/DECODE-WAVESURFER |
| DST-6-48 | XFRMR PWR 115/230V 24V 800MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N50P | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N075T2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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