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参数资料
| 型号： | IXTA6N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 3A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA6N100D2 IXTP6N100D2
IXTH6N100D2
3.0
Fig. 7. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
2.6
Fig. 8. R DS(on) Normalized to I D = 3A Value
vs. Drain Current
2.6
2.2
1.8
V GS = 0V
I D = 3A
2.4
2.2
2.0
1.8
T J = 125oC
V GS = 0V
5V - - - -
1.6
1.4
1.4
1.0
1.2
T J = 25oC
1.0
0.6
0.8
0.2
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 9. Input Admittance
12
I D - Amperes
Fig. 10. Transconductance
14
12
10
8
6
V DS = 30V
T J = 125oC
25oC
- 40oC
10
8
6
4
V DS = 30V
T J = - 40oC
25oC
125oC
4
2
0
2
0
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1.3
V GS - Volts
Fig. 11. Breakdown and Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
18
I D - Amperes
Fig. 12. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
V GS = -10V
1.2
V GS(off) @ V DS = 25V
14
12
1.1
1.0
0.9
0.8
BV DSX @ V GS = - 5V
10
8
6
4
2
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V SD - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 14A-5.0R-20 | XFRMR PWR 115/230V 10V .50A |
| 14A-5.0R-16 | XFRMR PWR 115/230V 8.0V .62A |
| DST-6-56 | XFRMR PWR 115/230V 28V 700MA |
| WSXS-SPIBUS TD | SPIBUS TRIGGER/DECODE-WAVESURFER |
| DST-6-48 | XFRMR PWR 115/230V 24V 800MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N50P | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N075T2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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