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参数资料
| 型号： | IXTA88N085T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA88N085T7
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
65
R G = 5 Ω
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
I D = 20A
I D = 40A
V GS = 10V
V DS = 44V
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 44V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
120
41
33
52
110
t r
t d(on) - - - -
39
100
90
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 44V
I D = 40A, 20A
37
35
32
I D = 20A
49
80
70
60
50
40
33
31
29
27
25
31
30
29
I D = 40A
46
43
40
30
20
10
23
21
19
28
27
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 44V
37
34
5
7
9
11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
33
58
130
220
32
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 44V
54
120
110
100
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 44V
I D = 20A
200
180
160
31
30
29
50
46
42
90
80
70
60
50
I D = 40A
140
120
100
80
60
28
T J = 25oC
38
40
40
30
20
27
34
20
0
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
5
7
9
11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_88N085T (3V) 9-15-06-A.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IXTA90N055T | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| IXTA90N075T2 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA8N50P | 功能描述:MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA8PN50P | 功能描述:MOSFET 8.0 Amps 500 V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N055T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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