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参数资料
| 型号： | IXTA90N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 54nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
TrenchT2 TM
Power MOSFET
IXTA90N075T2
IXTP90N075T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 75V
= 90A
≤ 10m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 AA (IXTA)
Fast Intrnsic Rectifier
G
S
D (Tab)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
75
75
± 20
V
V
V
TO-220AB (IXTP)
I D25
I L(RMS)
I DM
T C = 25 ° C
External Lead Current Limit
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
90
75
225
A
A
A
G
DS
D (Tab)
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
400
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
P D
T J
T JM
T stg
T L
T sold
M d
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-220)
TO-263
TO-220
180
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
W
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International Standard Packages
175°C Operating Temperature
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
ROHS Compliant
High Performance Trench
Technology for Extremely Low R DS(on)
Advantages
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
75
V
Space Savings
High Power Density
Synchronous
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
± 200 nA
2 μ A
250 μ A
10 m Ω
DC-DC Converters
Battery Chargers
Synchronous Buck Converter
(for Notebook System-Power &
General Purpose Point & Load)
AC Motor Drives
High Current Switching Applications
Power Train Management
Distributed Power Architecture
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99949B(11/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA98N075T | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 |
| IXTB62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 |
| IXTC110N25T | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 |
| IXTC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| IXTC160N10T | MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA98N075T7 | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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