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参数资料
| 型号： | IXTA90N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 54nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA90N075T2
IXTP90N075T2
100
Fig. 7. Input Admittance
70
Fig. 8. Transconductance
90
80
70
60
50
40
60
50
40
30
T J = - 40oC
25oC
150oC
30
20
10
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
280
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
200
160
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 37.5V
I D = 25A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
100μs
25μs
1,000
Ciss
100
100ms
10ms
1ms
Coss
100
10
f = 1 MHz
Crss
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA98N075T | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 |
| IXTB62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 |
| IXTC110N25T | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 |
| IXTC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| IXTC160N10T | MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA96P085TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
| IXTA98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA98N075T7 | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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